Спинтроника использует спин электрона вместо его заряда, обещая процессоры с нулевым энергопотреблением и памятью без потерь данных.

Спинтроника (от англ. spin electronics) — область физики и материаловедения, родившаяся из открытия гигантского магнитосопротивления. В 1988 году физики Альбер Ферт и Петр Грюнберг независимо обнаружили, что электропроводность тонких многослойных структур резко меняется в зависимости от взаимной ориентации магнитных моментов слоёв. Это явление, за которое они получили Нобелевскую премию по физике в 2007 году, показало: спин электрона — его внутренний угловой момент — можно использовать для управления электрическими свойствами материалов так же, как его электрический заряд. В отличие от традиционной электроники, где информация кодируется движением заряда через проводники, спинтроника манипулирует направлением спина, что требует несравнимо меньше энергии. Практическое значение спинтроники проявляется прежде всего в MRAM (магнитной памяти с произвольным доступом). В классических полупроводниковых устройствах данные хранятся в состояниях конденсаторов, требующих постоянного электропитания. MRAM же использует направление магнитного момента: информация остаётся в материале при отключении питания, что делает такую память энергонезависимой. Современные прототипы MRAM демонстрируют скорость доступа порядка наносекунд при энергопотреблении в 10-100 раз ниже, чем у традиционной DRAM. Это особенно важно для портативных устройств и серверов.